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任丙彦

 

任丙彦

 
教授  硕士生导师
 
通讯地址:
河北工业大学材料科学与工程学院
天津市丁字沽一号路8号 300130
E-mail地址:tjrby@sohu.com
办公电话:022-26582204
 
最终学历
1970年             北方交通大学
 
主要工作经历:
一直从事半导体材料的研究与开发工作,相继晋升讲师、副教授、教授职称并担任半导体研究所副所长、硕导。作为负责人领导并创建了河北省半导体压阻力敏传感器生产基地和世界上最大的中日合资、香港合资太阳能硅单晶生产基地并任技术顾问,与中科院半导体所、上海交通大学、北京太阳能研究所均有硕士课题实验交流,与国外有一定程度业务和技术交流。
 
社会兼职:
中国半导体材料学术委员会委员
SEMI中国标准化半导体分委会委员
 
主要科研项目:
承担国家及省市科研项目20余项。
其中,近年来承担的项目编号和名称:
501019      氧碳杂质对硅光电池光电转换效率的影响的研究
64050180    大规模、超大规模集成电路用中子辐照直拉硅技术                 
6886015     NTDCSi中辐照施主的形成机理与结构                                                    
6897011     大功率和功率集成器件用NTDCSi                               
69876001    大直径硅单晶双加热器控氧碳机理研究                                                
598014      大直径硅中COPs和红外散射缺陷的研究
目前承担的科研项目:
1、 国家自然科学基金项目:
     太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热释放速率与母相熔体结构关系的研究
2、河北省自然科学基金项目
高效非晶硅/多晶硅异质结太阳电池工艺与界面匹配机理研究
 
获奖情况:
享受国务院专家政府津贴,获国家四等发明奖一项,省科技进步一等奖二项、二等奖一项、三等奖四项,获河北省优秀产学研奖一项。
 
主要学术成果:
半导体光电子技术研究,半导体光电子材料、多晶硅材料及光电子器件,硅光电源研究大直径低氧碳硅单晶的晶体生长工艺及硅片加工工艺研究大直径硅单晶的微缺陷研究、有限元在CZSi生长工艺研究。
 
发表论文:
在国内外重要学术期刊《中国科学》《半导体学报》《太阳能学报》《化学学报》《Rare Metals》《Semiconductor Technology》等共计发表学术论文50余篇,《硅外延生长技术》译著一部。
 
1.“中子辐照直拉硅退火后的施主行为”核技术,1997
2.“氩气流场分布与CZSi单晶中氧含量关系的研究”中国学术期刊,2000,vol.6,No.8,1028639
3.“大直径直拉硅单晶炉热场改造及数值模拟”人工晶体学报,2000,vol.29,No.4,381
4.“热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响”材料研究学报,2001,vol.15,No,3
5.“F6”CZSi热系统改造对原生缺陷密度的影响”中国科学,  2001, vol.31,No.7,639
6. 直径200mm太阳能CZ-Si 单晶复合式热场的数值模拟,科学技术与工程,2003.   第3卷   第1期
7. The effects of CZ-Si furnace modification on density of grown in defects CHINA..SCIENCE,2002. 第3期
8. Annealing Behavior of New Micro-defects in <111>P-type large-diameter CZ-Si Crystal   RARE METALS,2001.12 第4期
9. Study on Grown-in Defects In Large-Diameter CZ-Si,SEMICONDUCTOR  TECHNOLOGY,2001. 第13期
10.The effects of Argon Gas Flow Rate and Guide Shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth   Rare metal Vol.25,No,1,Feb 2006

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