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刘彩池

 1.基本情况

        刘彩池,女,1964年3月生,工学博士,教授,博士生导师。教育部新世纪优秀人才,河北省新世纪“三三三”三层次人才,河北省高校中青年骨干教师,河北省优秀博士后,天津市三八红旗手,河北工业大学信息功能材料研究所所长,从事半导体材料的教学与科研工作及材料物理与化学博士生、硕士生的培养工作。

2.研究领域
   半导体晶体生长与缺陷工程、半导体光电子材料及应用、太阳电池材料及应用
3.社会兼职
中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员
4.科研项目
在半导体材料晶体生长、半导体缺陷工程、光电子材料与应用、太阳电池材料与应用、材料质量与器件性能关系等方面先后主持国家自然科学基金5项,主研国家自然科学基金、国家科技部攀登计划、总装备部预研基金、教育部科学技术研究重点项目等10项,主持省部级科研项目8项,主研省部级科研项目12项。
5.获奖情况
获河北省科技进步二等奖2项,三等奖1项,河北省教育厅科技进步一等奖2项,三等奖1项,获专利4项。
6.主要学术成果
大直径硅单晶中原生微缺陷的演变机理及控制工艺,大直径砷化镓材料缺陷控制工艺及退火效应,氮化镓外延材料缺陷控制及注入效应,硅基太阳电池绒面织构、减反膜的设计与制备及杂质缺陷对太阳电池性能的影响。
7.主要论文
发表学术论文100余篇,其中收入三大索引60余篇,出版(合)译著1部,参编教材1部。
2.No mask epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride on sapphire,Journal of Alloys and Compounds, 456 (2008) 368-371
3.Effect of annealing atmospheres on the void defects in largediameter CZSi single crystals,Materials Science in Semiconductor Processing,9(2006)117-120
4.Vanadium defects formation mechanism in undoped GaN grown on silicon, J. Rare Earths, 24(3)(2006)41-44
5.Microstructure of flow pattern defects in boron-doped Czochralski-grown silicon,Rare Metals,25(4)(2006)389-392
6. Investigation of flow pattern defects in as-grown and rapid thermal annealed CZSi wafers,J. Crystal Growth, 262(2004)1-6
7. Evolution of flow pattern defects in boron-doped <100> Czochralski silicon crystals during secco etching procedure,J. Crystal Growth, 269(2004)310
8. Investigation of oxygen precipitation and intrinsic gettering in heavily Sb-doped silicon, Microelectronic Engineering, 66(2003)340  
9.      Multivacancy clusters in neutron irradiated silicon, J. Appl. Phys., 78(1995)6458
10.      Fast neutron irradiation for Czochralski silicon,Appl. Phys. Lett., 65(22)(1994)2807-8
8.联系方式
电    话:022-60202474(O),13012261659
电子信箱:ccliu@hebut.edu.cn,liucaichi@eyou.com
通讯地址: 天津市红桥区丁字沽一号路河北工业大学材料学院
邮    编: 300130
办公地点: 北院中心实验楼二楼

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