陈贵锋、男、1979、博士、教授、博导、材料物理与化学

研究方向：半导体材料与器件

承担国家级项目3项、省部级项目十余项；发表JMCC, NanoScale, JPCC等高水平论文100余篇；获得发明专利13项；担任中国电子学会电子材料学分会副秘书长、天津市真空学会副理事长。

一、 教育工作经历

教育经历

(1) 2004-09 至 2009-01, 河北工业大学, 材料物理与化学, 博士

(2) 2001-09 至 2004-07, 河北工业大学, 理论物理, 硕士

(3) 1997-09 至 2001-07, 河北工业大学, 应用物理, 学士

工作经历

(1) 2017-12 至 今, 河北工业大学, 材料科学与工程学院, 教授

(2) 2011-12 至 2017-11, 河北工业大学, 材料科学与工程学院, 副教授

(3) 2006-12 至 2011-11, 河北工业大学, 材料科学与工程学院, 讲师

(4) 2004-10 至 2006-11, 河北工业大学, 材料科学与工程学院, 助教

二、 研究方向简介

1.III-V族氮化物材料自支撑衬底的绿色工业化制备方法。III-V族氮化物半导体在光电子器件、光电集成、超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上有着重要应用。目前，国内外广泛采用的氢化物气相外延方法制备，制备过程涉及到大量的环境污染。另外，目前国内市场的自支撑衬底多数依赖进口，使得新的绿色III-V族氮化物材料自支撑衬底成为本领域科学研究的关键问题。我们的研究方向着重于III-V族氮化物材料自支撑衬底的绿色制备工艺及产品质量提升等方面。

2.氮化镓基光电化学器件在人工光合作用中的应用研究。人工光合作用是利用绿色的太阳能来分解水产氢、降解有机污染物和还原二氧化碳，解决环境污染问题的一种有效方法。GaN是为数不多可同时满足二氧化碳还原和水氧化条件的光催化材料，其在光制氢和二氧化碳减排方面有着巨大的应用前景。我们以高效氮化镓基光电化学器件的研制为目标，制备光谱利用率高、电流匹配并且稳定性好的光电化学器件，实现二氧化碳还原的高效人工光合作用。

3.纳米量子点太阳电池的研究。针对传统太阳电池存在的光电转换效率极限的问题，将纳米技术应用于化合物薄膜太阳电池，利用一种化学手段制备出具有特殊物理效应的材料，应用到光伏器件中去，探索新型、高效太阳电池结构体系。

4.单晶硅材料在光伏及半导体领域的工程应用研究。

三、 科研成果

1、 代表性科研项目

(1) 国家自然科学基金面上项目，基于铜铟硒材料的纳米量子点太阳电池的研究，项目编号：51871089，项目起止年月：2019年01月至2022年12月，项目负责人。

(2) 国家自然科学基金面上项目，用于人工光合作用的氮化镓基光电化学器件研究，项目编号：61674051，项目起止年月：2017年01月至2020年12月，项目负责人。

(3) 河北省重点研发计划项目，5G通信用半导体材料和电子陶瓷材料关键技术的研究，项目编号：20311001D，项目起止年月：2020年06月至2023年06月。

(4) 教育部“春晖计划”合作科研项目，非晶硅/多晶硅异质结太阳电池界面性能的研究，项目编号：Z2017022， 项目起止年月：2018年01月至2019年12月，项目负责人。

(5) 国家自然科学基金面上项目，电子辐照硅材料中亚稳态缺陷的形成与转化，项目编号：50872028，项目起止年月：2009年01月至2011年12月，项目负责人。

(6) 天津市科技特派员项目，IGBT用单晶硅CMP中关键材料的研究，项目编号：14JCTPJC00524，项目起止年月：2014年10月至2015年09月，项目负责人。

(7) 河北省自然科学基金面上项目，AlInN晶体质量对光电性质影响的研究，项目编号：F2013202001，项目起止年月：2013年01月至2015年12月，项目负责人。

(8) 河北省自然科学基金面上项目，单晶硅材料的电子辐照效应，项目编号：E2008000079，项目起止年月：2008年01月至2010年12月，项目负责人。

(9) 河北省科技支撑计划项目，新型高效HIT太阳电池关键技术开发，项目编号：15214305D，项目起止年月：2015年01月至2016年12月，项目负责人。

(10) 河北省科技指导计划项目，GaN氢化物气相外延设备的研制，项目编号：07215134，项目起止年月：2007年01月至2009年12月。项目负责人。

(11) 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题，GaN-CIGS串行器件及其高效人工光合作用，项目编号：17ZS01，项目起止年月：2017年04月至2018年04月，项目负责人。

(12) 河北省教育厅科研计划项目，电子辐照单晶硅亚稳态缺陷的研究，项目编号：2009318，项目起止年月：2009年07月至2012年06月，项目负责人。

(13) 硅材料国家重点实验室开放课题，直拉硅中亚稳态缺陷的控制与利用，项目编号：200607，项目起止年月：2006年4月至2007年12月，项目负责人。

(14) 国家国际科技合作专项项目，大尺寸LED衬底用蓝宝石生长工艺合作研究，项目编号：2013DFR50200，项目起止年月：2013年04月至2015年12月，排名第二。

2、 代表性学术论文（5篇代表作）

(1) Zishuang Cheng; Xiaoming Zhang; Hui Zhang; Heyan Liu; Xiao Yu; Xuefang Dai; Guodong Liu; Guifeng Chen ; Binary pentagonal auxetic materials for photocatalysis and energy storage with outstanding performances, Nanoscale, 2022, 14(5): 2041-2051

(2) Zishuang Cheng; Xiaoming Zhang; Hui Zhang; Heyan Liu; Xuefang Dai; Guodong Liu; Guifeng Chen ; Two-dimensional auxetic pentagonal materials as water splitting photocatalysts with excellent performances, Journal of Materials Science, 2022, 57(15): 7667-7679

(3) Zishuang Cheng; Xiaoming Zhang; Hui Zhang; Heyan Liu; Xiao Yu; Xuefang Dai; Guodong Liu; Guifeng Chen ; Porous-Induced Performance Enhancement of Flat Boron Sheets for Lithium-Ion Batteries, The Journal of Physical Chemistry C, 2022, 126: 21542-21549

(4) Zishuang Cheng; Xiaoming Zhang; Hui Zhang; Heyan Liu; Xiao Yu; Xuefang Dai; Guodong Liu; Guifeng Chen ; BeN4 monolayer as an excellent Dirac anode material for potassium-ion batteries, Journal of Alloys and Compounds, 2022, 936: 168351

(5) Zishuang Cheng; Xiaoming Zhang; Hui Zhang; Jianbo Gao; Heyan Liu; Xiao Yu; Xuefang Dai; Guodong Liu; Guifeng Chen ; A theoretical prediction of NP monolayer as a promising electrode material for Li-/Na-ion batteries, Applied Surface Science, 2021, 547: 149209-7

3、 专利专著

（1）发明专利，一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，专利号：2019106210970，发明人：陈贵锋、谢路肖、张辉、张银、解新建、刘国栋，申请日期：2019年07月10日，授权日期：2020年11月10日。

（2）发明专利，一种氮化铝单晶晶须的制备方法，专利号：2018116159213，发明人：陈贵锋、崔起源、张辉、解新建、谢路肖，申请日期：2018年12月27日，授权日期：2019年03月22日。

（3）发明专利，用于人工光合作用的氮化镓基器件及其制备方法，专利号：2017110651500，发明人：陈贵锋、马苗苗、张辉、解新建、陆书龙，申请日期：2017年11月02日，授权日期：2019年11月15日。

（4）发明专利，一种用于电化学析氢的掺钨二氧化钒纳米棒/二硫化钼复合材料及其制备方法，专利号：201710846703X，发明人：陈贵锋、张小强、陶俊光、张辉、解新建，申请日期：2017年9月19日，授权日期：2019年04月05日。

（5）发明专利，一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火，专利号：2017108278663，发明人：肖武坤、刘巍、张辉、罗文博、谢新建、张雪囡、陈贵锋，申请日期：2017年09月14日，授权日期：2020年06月16日。

（6）发明专利，一种人工蓝宝石晶体的改色方法，专利号：2016109152386，发明人：陈贵锋、罗文博、张辉、解新建、陶俊光，申请日期：2016年10月20日，授权日期：2018年09月28日。

（7）发明专利，一种Cr3Al纳米线的制备方法，专利号：201610369134X，发明人：陈贵锋、刘婉、秦爽、张辉、刘国栋，申请日期：2016年05月27日，授权日期：2018年04月20日。

（8）发明专利，一种HIT太阳能电池及其制备方法，专利号：2014101615056，发明人：陈贵锋、王弘、张辉、曹哲、张浩恩、张娇、贾少鹏、罗鸿志，申请日期：2014年04月22日，授权日期：2016年06月01日。

（9）发明专利，一种钼掺钠溅射靶材的制备方法，专利号：2014103081481，发明人：陈贵锋、张辉、曹哲、王弘、赵晓丽、王雄涛、王鹤、门小云，申请日期：2014年07月01日，授权日期：2016年04月13日。

（10）发明专利，付立叶变换光测高温仪，专利号：2016109577761，发明人：吴建海、谭成章、陈贵锋、孔祥明、由希雨，申请日期：2017年01月24日，授权日期：2019年05月03日。

（11）发明专利，一种降低铸锭多晶硅片反射率的方法，专利号：2016110978700，发明人：常雪岩、陈贵锋、张辉、代学芳、王永、王海涛，申请日期：2016年12月03日，授权日期：2018年07月24日。

（12）发明专利，一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，专利号：2016108640217，发明人：张辉、解新建、陈贵锋、常雪岩、阎文博、陶俊光，申请日期：2016年09月29日，授权日期：2018年05月01日。

（13）实用新型，泡生法蓝宝石单晶生长炉保温侧屏，专利号：2014205255021，发明人：陈贵锋、阎立群、徐建民、孟凡义、张浩恩、张辉，申请日期：2014年09月15日，授权日期：2015年02月04日。

四、 人才（荣誉）称号

五、 社会兼职

中国电子学会电子材料学分会副秘书长

天津市真空学会副理事长

六、 联系方式

手机：13920838656

邮箱：cgfchen@hebut.edu.cn